应用场景：在制造集成电路时，通过紫外光将掩膜版上的图形精确转移到涂有光刻胶的晶圆上。
均匀性的核心作用：
保证线宽一致性：光强不均匀会导致晶圆不同区域的光刻胶接受的光能量不同。能量高的区域线条可能被过度曝光而变细，能量低的区域则可能曝光不足而变粗。这会造成同一芯片上乃至芯片间的关键尺寸（CD）不一致，严重影响芯片的性能和良率。
控制生产效率：均匀性差意味着必须用更高的总能量来确保最弱区域的胶也能充分反应，这反而会过度曝光其他区域，并可能降低产能。
对均匀性的要求：极致。在先进的半导体光刻机中，均匀性是核心指标，要求达到 ±1%~2% 的惊人水平。
解决方案：采用最先进的高均匀性UVLED曝光系统，结合复杂的光学均化器和实时能量监控系统，确保晶圆表面的每一寸都接收到完全一致的光能量。
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